扬州LED灯具产业发展走在国内前沿
自国度半导体照明工程施行以来，中国LED财产获得了长足的开展。2008年，全球金融危机招致下流市场需求疲软，在必然水平上减缓了中国LED财产的开展速度。进入2009年，跟着国度不时出台相关搀扶*策，中国LED财产增速企稳上升。 2010年，在LED全彩显示、LED背光源、LED照明等下流使用高速开展的拉动下，包罗衬底、外延、芯片、封装在内的中国LED财产规划高速增进到 294.6亿元，比2009年大幅增进33.8%。2006-2010年，中国LED财产年均复合增进率到达18.7%。
衬底环节仍以低端产物为主，蓝宝石财产开端大规划结构
近几年，处于技能以及市场竞争等要素的缘由，相关于外延、芯片和封装环节，国内衬底财产开展不断比拟迟缓。2010年，很多蓝宝石衬底项目尚处在投资建立或设备调试阶段，产能尚未大规划释放，因而中国LED衬底财产仍首要以低端产物为主，蓝宝石衬底财产规划有限。2010年中国衬底环节财产规划到达352.5万平方英寸，同比增进34.4%，完成产值1.4亿元，比2009年增进50.8%。
从中国衬底财产开展状况看，在国度半导体照明工程、国度863等严重专项的支撑下，中国制备红光、绿光LED用的GaAs/InP/GaP衬底资料技能曾经获得严重发展。在企业散布上，中科镓英，国瑞电子、上海中科嘉浦、中国电子科技集团第46研讨所等企业曾经完成上述产物的批量供给。这些企业LED衬底产量曾经占有中国全体LED衬底产量的30%左右，然后保证了中国该类型衬底根本完成自立供给。
外延环节产能敏捷扩张，产物条理逐渐提拔
LED外延作为LED财产链的中心环节，从2009年开端，在中国下流使用市场高速开展的带动下，中国GaNMOCVD数目开端迸发性增进，使得中国LED外延财产获得疾速开展。2010年，中国在产与建成调试的MOCVD数目接近300台，完成量产的MOCVD数目超越200台。 2010年，中国LED外延财产规划为12.5亿元，比2009年大幅增进78.4%。
详细在产物上，AlGaInP外延(首要使用于红光LED产物的制备)，因为该类资料发展机理以及资料特征不变，使得该类产物发展技能相对轻易把握，当前国内该种外延产物开展也处于抢先位置。因为AlGaInP外延下流使用范畴相对成熟，对上游外延片增进拉动较为迟缓，使得 AlGaInP外延片的增速远低于GaN外延片的增速。2010年，AlGaInP/AlGaAs/GaAsP/GaP系外延片产量约占全体外延产量的 60.2%，较2009年减小15.8个百分点。此外，蓝白光LED在景象照明、背光源等范畴使用规划疾速扩展的推进下和国内企业以及科研院地点资料发展技能不时获得打破的支撑下，2010年，GaN外延片产量约占全体外延产量的39.8%。将来三年，这一比例还将疾速提拔，估计2011年中国GaN外延片的产量将超越AlGaInP外延片。
在供需方面，用于通俗亮度红光LED的外延片曾经根本完成自立供给。但是，因为外延片质量直接影响LED芯片的发亮光度和发光特征，当前，用于制备大功率高亮度红光LED的高质量AlGaInP外延片仍首要从台湾及韩国等地进口。此外，因为国内GaN外延片供给量较小，且产物质量与**抢先程度差距分明，因此，国内该类产物也首要依托进口。
但跟着市场需求的逐渐扩展，中国LED外延财产疾速开展，在原有企业在积极扩大产能的根底上，也不时有新企业进入该范畴。从企业投资趋向来看，一方面原有企业在现有出产基地的根底长进行扩产，另一方面如厦门三安则开端在除厦门以外的天津、安徽芜湖树立LED出产企业，山东海潮华光除了原有在济南和潍坊的一厂、二厂以外，2009-2010年也开端在济南高新区和临沂树立别的两个出产基地。此外，新进入企业也不再仅仅把投资地址选择在上海、厦门、扬州等地域，中国LED外延片投资出现多处开花的场面，而且有从东部和南部沿海城市向北部以及中部城市延长的趋向。
因为外延片和芯片出产环节联络严密，行业界的大都企业在从事芯片出产的还也进行外延片产物的出产，从当前国内新投资的企业看，根本上都涵盖了外延和芯片两个环节。而关于外资来华投资的企业来说，处于对技能流掉等要素的思索，初期仍首要以转移芯片出产为主。
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